台积电发布A14制程与多项新技术，计划2028年量产1.4纳米

4月23日，台积电在2025北美技术论坛上公布了其最新的半导体技术路线图，展示了涵盖人工智能（AI）、高性能计算（HPC）以及先进封装等领域的多项突破性技术。
据媒体报道，台积电在论坛上宣布其N3P制程已进入量产阶段，而备受关注的A14制程技术预计将在2028年实现量产。A14是台积电规划的1.4纳米级先进制程，采用第二代全环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术，相较于现有的3纳米和即将量产的2纳米制程，性能和能效均有显著提升。
A14制程性能大幅提升，聚焦AI与HPC应用
A14制程技术是台积电下一代先进逻辑制程的核心，旨在通过优化栅极结构和沟道密度，实现更高的电流控制能力。与N2制程相比，在相同功耗下，A14速度可提升15%，或在相同速度下降低高达30%的功耗，同时逻辑密度提升20%以上。此外，台积电计划将NanoFlex™标准单元架构升级为NanoFlex™Pro，以进一步提升设计灵活性。
A14制程主要面向AI、HPC及高端移动设备，支持更复杂的AI模型运算和低延迟数据处理。台积电透露，A14的研发进展顺利，良率已提前实现，后续还将推出衍生版本，包括A14P、A14X和A14C，分别满足高性能、极致优化和成本敏感型需求。
N3家族持续扩展，N3P与N3X相继量产
台积电在论坛上还介绍了其3纳米制程家族的最新进展。N3P作为第三代3纳米技术，已在2024年第四季度启动量产，主要服务于需要提升效能的客户端和数据中心应用。与N3E相比，N3P在同等功耗下性能提升约5%，或在相同性能下功耗降低5~10%，晶体管密度提升4%。
此外，台积电计划在2025年下半年量产N3X制程。据媒体报道，N3X在相同功耗下性能可再提升5%，或在相同性能下降低7%的功耗。其关键优势在于支持高达1.2V的电压，但高电压可能带来漏电功耗增加的问题，开发者需谨慎设计。
先进封装技术SoW-X计划2027年量产
台积电还发布了最新的晶圆级封装技术SoW-X（System-on-Wafer-X），这是CoWoS封装技术家族的新成员。SoW-X通过Chip-Last流程，可将多达16个大型计算芯片、存储芯片和光互连模块整合在晶圆级基板上，提供数千瓦的功率支持，目标是为AI和HPC芯片提供超高集成度和计算效率。
台积电表示，SoW-X的运算能力比现有CoWoS解决方案提升40倍，计划于2027年量产。此外，台积电还计划在同一年推出9.5倍光罩尺寸的CoWoS技术，以满足AI对逻辑和高带宽内存（HBM）的持续需求。

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