三星电子推进1nm工艺研发，计划2029年后量产

据媒体报道，三星电子近期启动了1nm晶圆代工工艺的研发工作。由于在即将量产的2nm工艺上与台积电存在明显差距，三星希望通过加快1nm级工艺的开发，争取在未来实现技术突破。
据9日业界消息，三星电子半导体研究所已组建了一支专门团队，负责1nm工艺的开发工作。团队成员主要由参与2nm等前沿工艺研发的研究员组成。根据三星此前公布的晶圆代工路线图，其计划在2027年量产的1.4nm工艺目前被视为最尖端技术。
1nm工艺的研发面临诸多挑战，包括需要突破现有设计框架的技术创新，以及引入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻机等下一代设备。据透露，三星将1nm工艺的量产时间定在2029年之后。
在3nm和2nm领域，三星的技术水平与台积电仍有差距。特别是在2nm工艺上，台积电的良率已超过60%，而三星则相对落后。这一差距促使三星提前布局1nm工艺的研发。
与此同时，台积电也在加速推进1nm级工艺的开发。据台积电去年4月透露，公司计划在2026年下半年开始生产介于1.4nm和2nm之间的1.6nm（16A）技术，以满足人工智能（AI）半导体市场的需求，并为下一代工艺奠定基础。

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