至讯创新科技获半导体PVT差异消除专利，加速存储芯片研发

近日，国家知识产权局发布信息显示，至讯创新科技（无锡）有限公司获得了一项名为“半导体设计PVT差异消除电路、方法及集成电路”的专利，授权公告号为CN 119171887 B，申请日期为2024年11月。据公开资料显示，该公司成立于2021年，总部位于无锡，是一家专注于存储芯片技术创新的高科技企业。
至讯创新科技的核心团队由长江存储前CTO汤强博士领衔，汇聚了来自全球知名半导体企业的顶尖人才。公司致力于开发高性能存储芯片，广泛应用于消费电子、物联网、监控、工业控制及汽车电子等领域。目前，至讯创新已成功量产19nm工业级2D NAND闪存芯片，并完成多轮融资，为边缘端AI存储技术的研发提供了强劲动力。
据公开资料透露，该专利技术的突破将进一步提升存储芯片的性能和稳定性，为公司在高端存储市场中占据一席之地提供技术支持。未来，至讯创新科技将继续深耕存储领域，推动技术革新与产业升级。

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-27-137368-0.html至讯创新科技获半导体PVT差异消除专利，加速存储芯片研发

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： 斯达半导体重庆车规级模块生产基地封顶，预计明年达产

下一篇： 英特尔展示Panther Lake样品，新架构引发关注