近期，美光成功向客户供应第六代10纳米级DRAM样品，即1γ DRAM，速度较前一代提升15%，耗电量减少20%以上。这一进展使美光在DRAM市场上超越了三星电子。
据悉，三星原计划在2024年末量产1c DRAM（线宽约11~12纳米），但受良率问题困扰，量产可能推迟至2025年5月或更晚。为了应对挑战，三星正在调整设计，计划扩大芯片尺寸以提高良率和稳定性。
业界指出，三星在HBM3E量产时程上也落后于美光，若1c DRAM无法及时量产，将进一步影响其HBM4竞争力。为了量产1c DRAM，三星已开始进行设备投资，在平泽四厂下订建设小规模产线的设备。
与此同时，SK海力士已在2024年8月完成1c DRAM研发，并表示已具备量产能力。SK海力士以1b DRAM的制程技术竞争力为基础，在1c DRAM上具备更高的良率稳定性，有望领先业界正式量产。
本文链接：http://www.28at.com/showinfo-27-135707-0.html三星DRAM面临挑战，美光10纳米级产品领先
声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com
下一篇： 虎山专注车门把手，在AM市场独树一帜
Copyright © 2016-2023 天津谷骐科技有限公司 版权所有 sitemap.xml
违法及侵权请联系：2376512515@qq.com 津ICP备18001702号
津公网安备 12010102000574号
