据报道，三星计划将其西安工厂升级至286层堆叠NAND Flash制程技术，以应对市场竞争。自2023年起，该工厂已从128层向236层技术发展，现决定进一步升级至286层。
新产线预计上半年引进设备，下半年月产2000-5000片晶圆。西安工厂是三星唯一的海外存储芯片基地，占其NAND Flash产量约40%，升级后将大幅提升产能。
美国拜登政府给予三星VEU地位，使其能在中国生产200层以上堆叠NAND Flash，应对美国对华半导体出口限制。
三星在国内提升技术的同时，也在中国进行技术升级，以保持国内外竞争优势。三星计划2025年下半年在韩国平泽一号工厂初步量产400层堆叠NAND Flash。
尽管三星加速向236层和286层技术发展，但预计2025年第一季NAND Flash产量较2024年第四季减少约25%，受经济因素影响，手机和PC市场需求下滑。
然而，人工智能数据中心等市场需求增长，推动三星生产高效能、高容量NAND Flash产品。
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