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不用台积电!AMD Zen6 IOD模块首次引入三星4nm

来源: 责编: 时间:2025-02-16 08:42:30 119观看
导读 快科技2月14日消息,AMD已经在积极推进下一代Zen6架构产品,包括消费级和数据中心,其中CCD部分的工艺有两种说法,一是台积电N3 3nm级别,另一种是台积电N2 2nm级别。目前,Zen5家族的锐龙9000系列的CCD部分为台积电4n

快科技2月14日消息,AMD已经在积极推进下一代Zen6架构产品,包括消费级和数据中心,其中CCD部分的工艺有两种说法,一是台积电N3 3nm级别,另一种是台积电N2 2nm级别。jpz28资讯网——每日最新资讯28at.com

目前,Zen5家族的锐龙9000系列的CCD部分为台积电4nm,IOD部分则是6nm,后者完全延续了锐龙7000系列的设计。jpz28资讯网——每日最新资讯28at.com

EPYC 9005系列的IOD部分则是4nm(Zen5)和3nm(Zen5c),IOD部分和锐龙一样都是6nm,二者在很大程度上也是相同的。jpz28资讯网——每日最新资讯28at.com

那么,下一代Zen6会搭配什么样的IOD呢?jpz28资讯网——每日最新资讯28at.com

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之前的说法是升级到台积电4nm,确切地说是N4P,但新消息显示,Zen6 IOD制造切换到三星了,但还是4nm级别,确切地说是4LPP,或者叫SF4。jpz28资讯网——每日最新资讯28at.com

三星工艺虽然在性能、能效上始终差一点,但是IOD并不需要太先进的工艺,功耗也不高。jpz28资讯网——每日最新资讯28at.com

而三星4LPP 2022年就量产了,已经相当成熟,这也意味着成本会相当低,而且它就是个低功耗工艺节点,正好适合做IOD。jpz28资讯网——每日最新资讯28at.com

资料显示,三星L4PP的晶体管密度为每平方毫米1.37亿个,基本和台积电N5相当,只比台积电N4P低大约5%,同时高于Intel 4 11%之多,本身素质还是不错的。jpz28资讯网——每日最新资讯28at.com

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