第四届GMIF2025创新峰会在深圳万丽湾酒店落下帷幕。这场以“AI应用，创新赋能”为主题的行业盛会，吸引了全球存储产业链上下游的领军企业、技术专家与行业领袖齐聚一堂，共同探讨人工智能技术驱动下存储技术的演进方向与产业机遇。峰会期间，三星电子副总裁、Memory事业部首席技术官Kevin Yoon发表了题为《智构AI未来：开启内存与存储新纪元》的主题演讲，深入剖析了AI时代存储技术面临的挑战与突破路径，并发布了多项前沿技术成果。
Kevin Yoon在演讲中指出，AI技术正经历从生成式AI向智能体AI（Agentic AI）的跨越，并最终将迈向物理AI（Physical AI）。当前，行业已正式进入智能体AI阶段，这种具备自主推理与决策能力的技术，要求系统在维持多种状态的同时，能够无延迟地调用工具，从而推动全球数据量与计算需求呈现爆发式增长。他强调，智能体AI的推理过程需要数据长时间留存以获取最优结果，这直接导致内存容量需求激增。数据中心正从传统计算模式向数据密集型计算转型，存储技术已从后台支撑设施转变为决定AI系统效率与可扩展性的核心要素。
面对传统存储架构在带宽需求、功耗控制与延迟管理等方面的多重挑战，Kevin Yoon公布了三星在内存技术领域的双线突破。针对AI服务器对高带宽的迫切需求，三星已实现行业首款24Gb容量GDDR7内存的量产，并与领先GPU企业展开深度合作。该产品采用尖端制程工艺与优化电路设计，传输速率达42.5Gbps，能效提升超30%，为AI训练与图形渲染提供了关键支撑。同时，为解决DRAM容量限制问题，三星自2021年全球首推计算快速链路（CXL）内存扩展器以来，持续引领技术生态发展。目前，其DDR基CXL 2.0产品已实现规模化量产，并计划于明年推出兼容CXL 3.1与PCIe Gen 6.0的CMM-D解决方案，支持多服务器实时内存共享，进一步提升数据中心的灵活性与扩展性。
在存储领域，三星围绕性能、密度与散热三大核心维度展开了系统性创新。针对PCIe接口代际升级的技术挑战，三星通过优化NAND与控制器协同设计，将于2026年初推出PCIe Gen6 SSD产品PM1763。该产品在25W功耗限制下实现性能翻倍，能效比提升1.6倍，完美适配GPU密集型AI计算场景。在高密度存储方面，三星展现了行业领先的技术实力：2025年已推出128TB U.2接口SSD产品，2026至2027年更计划推出1T厚度的EDSFF形态产品，实现Gen5平台256TB、Gen6平台512TB的突破。这一系列成果得益于三星先进的32层堆叠封装技术与EDSFF形态的轻薄设计优势，可在有限空间内实现存储密度与能效的双重优化。
针对高性能存储带来的散热挑战，Kevin Yoon表示三星正从传统风冷向液冷等直接冷却技术转型。通过将E1.S 8TB SSD厚度从15T缩减至9.5T等形态优化，结合冷板与外壳间热阻最小化设计，确保下一代存储产品在满负荷运行时的系统稳定性。为满足AI推理场景中对小数据块快速访问的需求，三星提出了“内存级存储（Memory Class Storage）”这一全新技术品类。该技术以GPU主动直接存储（GIDS）为典型应用，通过GPU与存储的直接数据交互，大幅降低系统延迟。三星正在研发的第七代Z-NAND技术是这一概念的核心载体，其第三代产品将实现远超行业标准的吞吐量表现，在保持超高性能的同时最大化能效。
峰会期间，主办方对存储领域过去一年涌现的杰出企业、创新技术与优秀方案进行了评优，并发布了评选结果。作为行业领军者，三星半导体凭借在DRAM与NAND领域的重大技术迭代，荣获“杰出存储技术引领奖”。评委会特别指出，面对AI爆发对高带宽、高能效存储的迫切需求，三星率先实现HBM、DDR5、LPDDR5X及高层堆叠3D NAND等前沿技术的规模化量产与应用，为大模型训练、数据中心基础设施升级及高端智能终端创新提供了坚实的技术底座。
Kevin Yoon在演讲结尾表示，三星通过内存与存储领域的全栈创新，不仅致力于解决AI时代的数据管理难题，更旨在释放AI技术的全部潜能。未来，三星将持续突破技术极限，与全球合作伙伴共建存储生态，共同开启AI赋能的智能未来。
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