三星电子据传将开始研发新一代Exynos芯片，计划搭载于2027年的Galaxy S27。该芯片采用2纳米制程，代号「Ulysses」，研发计划将于2024年内启动。
三星期望其第二代2纳米制程（SF2P）能在2026年量产，相比第一代，效能提升12%、功耗降低25%、面积减少8%。此前，三星3纳米制程发展不顺，Exynos 2500面临良率、效能问题，Galaxy S25系列可能全数采用高通芯片。
业界分析认为，三星可能跳过3纳米市场，集中提高2纳米制程的完成度。然而，台积电、英特尔和Rapidus等竞争对手也在积极投入2纳米芯片的研发和量产，竞争相当激烈。
Exynos AP作为三星先进晶圆代工制程的坚实客户，其生产对于三星提高制程水准、累积经验至关重要。三星能否通过2纳米Exynos芯片的研发，缩小与竞争对手的差距、重拾市场信心，备受关注。
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