三星推出 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM，预定年底前量产

南韩记忆体大厂三星宣布，推出业界最高容量的 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM。这是继三星 2023 年 5 月开始量产 12nm 级 16Gb DDR5 DRAM 以后，扩大了其 12nm 级 DRAM 产品线，在相同封装尺寸下提供了翻倍的容量。三星称，此产品的推出举巩固了三星在下一代 DRAM 技术方面的领导地位，也代表着大容量记忆体的新时代。

三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 SangJoon Hwan 表示，凭藉 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM，三星获得了一种新的解决方案，可以建立达到高达 1TB 的 DRAM 模组，使三星能够满足人工智慧（AI）和大数据对高容量 DRAM 市场日渐成长的需求。三星也将继续透过差异化制程技术和设计技术开发 DRAM 解决方案，突破记忆体技术的界限。

三星强调，在 12nm 级制程技术上使用了一种新的 high-κ 材料，有助于提高电池电容。而高电容导致数据信号出现明显的电势差，更便于准确区分。至于，在降低工作电压和减少噪音方面的努力，也有助于三星提供客户需要的解决方案。

事实上，之前三星的 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM 还需要使用 TSV（Through Silicon Via）制程技术，而这次 12nm 级 32Gb DDR5 DRAM 可以在不使用 TSV 技术的情况下生产，两者同为 128GB 模组下，后者的功耗降低了约 10%，使其成为资料中心等注重能效的企业的最佳解决方案。三星进一步指出，12nm 级的 32Gb DDR5 DRAM 将会在 2023 年年底开始量产。

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