随着全球存储器市场的复苏，三星电子、SK海力士和美光这三大存储器巨头预计在2024年展开新一轮的竞争。特别是在高端DRAM市场，新一代高带宽存储器（HBM）HBM3e的推出，可能会引发市场格局的重大变革。
据首尔经济、New Daily等韩媒报道，由于全球DRAM市场的库存下降、需求扩大以及存储器厂商上调价格，该市场有望在2024年实现大幅增长。具体而言，Eugene投资证券预测，2024年DRAM市场规模将达到812亿美元，较2023年的511亿美元增长58.9%；而NAND Flash市场也将以32.9%的年增长率达到460亿美元。
在2024年的存储器市场中，HBM技术仍将是竞争的核心。目前，SK海力士在HBM市场中占据领先地位，并通过扩大HBM销售，将其全球DRAM市场份额从2023年第1季的24.7%提升至第3季的35%，创下了历史新高。然而，三星电子的市场份额则从42.8%下滑至39.4%。
然而，自2024年起，三星电子和美光将正式加入HBM市场的竞争。据悉，SK海力士和美光计划在2024年第2季度开始量产HBM3e，而三星电子则预计在第3季度开始量产。这三家公司都已经向NVIDIA提交了样品，并有望在今年内完成性能验证。
业界对于三星和SK海力士的HBM需求非常高，这两家公司都表示他们2024年预计生产的产品已经全部售罄。预计HBM市场将保持高速增长，未来5年的复合年增长率（CAGR）有望达到60%～80%。因此，主要厂商投资扩大产能的意愿和效率将成为抓住市场机遇的关键。
三星电子将从2023年底开始供应HBM3，并计划到2024年将其HBM产能提升至2023年的2.5倍。在积极的扩产计划下，有预测认为到2024年下半年，三星电子的HBM产量可能会超过SK海力士。
此外，NVIDIA计划将其新产品上市周期从原来的两年缩短为一年，以强化市场主导权并应对高效能GPU的需求。因此，预计在2024年1月确定HBM3e供应商后，NVIDIA将在第2季度推出新产品B100，而HBM4的供应商也将在2025年第1季度选定。
从整个存储器市场的情况来看，DRAM和NAND Flash的价格正式反弹的时期预计将在2024年下半年到来。由于DRAM在2023年的减产效果，预计到2024年上半年库存将恢复正常水平；而NAND Flash市场虽然有望在2024年得到改善，但预计还需要一段时间才能完全恢复。因此，主要存储器厂商在2024年的战略重点是减少NAND Flash的亏损并提高高附加值DRAM的收益性。
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