中国角逐韩国，DRAM与NAND技术差距缩小

在全球科技竞争的大舞台上，中国科技巨头正迅速迎头赶上韩国的龙头企业。据最新消息，《商业韩国》报道，中国在DRAM与NAND快闪记忆体领域的技术差距已经缩小至4年和2年，令人瞩目。H3n28资讯网——每日最新资讯28at.com

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华为在今年8月推出的搭载7纳米晶片的5G智能手机引起了全球关注。这一举措不仅引发了美国对中国限制加强的呼声，更凸显了美中科技竞争的全球影响。然而，这场竞争也逐渐演变成了韩国与中国之间的科技竞赛。H3n28资讯网——每日最新资讯28at.com

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在NAND快闪记忆体领域，中国长江存储正在迅速追赶三星电子与SK海力士。尽管在DRAM市场的差距仍然存在，但中国长鑫存储上月底宣布新产品开发，显示出中国在半导体领域的迅猛发展势头。H3n28资讯网——每日最新资讯28at.com

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另一方面，在显示器领域，京东方计划投资有机发光二极体（OLED）新产线，投资规模更是达到三星显示器的3倍。而在晶圆代工领域，中芯国际以7纳米应用处理器（AP）令全球瞩目，成为令人吃惊的竞争对手。H3n28资讯网——每日最新资讯28at.com

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长鑫制造的中国首款行动低功耗LPDDR5 DRAM已正式投产，为中国在进口记忆体上的自给自足迈出了重要一步。技术上的差距逐渐缩小，中国的DRAM制造商长鑫正逐渐接近甚至超越了韩国三星电子。H3n28资讯网——每日最新资讯28at.com

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在NAND快闪记忆体市场，长江存储的市占率逐年攀升，从2020年的1%增至今的4.6%。长江存储成功研发量产232层3D NAND闪存，紧追SK海力士和三星电子。在美国对先进半导体设备封锁的情况下，中国大基金等已向长江存储投资70亿美元，突显其在中国半导体供应链中的重要地位。H3n28资讯网——每日最新资讯28at.com

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