在半导体领域，牛津仪器（Oxford Instruments）日前宣布其旗下用于GaN HEMT器件生产的等离子原子层沉积（ALD）和原子层蚀刻（ALE）设备已赢得多家日本代工厂的大量订单，标志着GaN技术迎来了一次新的突破。
这一系列设备将为GaN电力电子和射频市场提供支持，特别是在消费类快速充电和数据中心应用方面。Oxford Instruments的ALD技术以高通量、低损伤的等离子处理而著称，主要服务于GaN HEMT器件制造商。
该公司的p-GaN HEMT的ALE解决方案已通过生产认证，利用Etchpoint技术实现低损伤蚀刻，提高器件可靠性。这一技术不仅可自动切换处理模式，还能以高精度实现AlGaN凹槽蚀刻，为下一代GaN MISHEMT E-mode器件功能打下基础。
据牛津仪器GaN产品经理Aileen O’Mahony透露，ALD设备的应用使得GaN HEMT产量在日本电力电子和射频市场大幅提升，为公司带来丰厚回报。该公司致力于提供完整的GaN HEMT解决方案，提高设备产量、可靠性和正常运行时间。
GaN作为第三代半导体材料，表现出色，尤其在电力电子和射频通信领域。据TrendForce集邦咨询预估，全球GaN功率元件市场规模将在未来数年内迎来快速增长。牛津仪器的ALD设备将为高性能、高可靠性和高效率的GaN功率器件的实现提供强有力的支持，推动GaN技术在电力电子和射频通信领域的广泛应用。
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