北京普能微电子科技有限公司于11月16日正式推出了氮化镓（GaN）射频功率放大器系列产品，包括GNQ6010、GNQ6030、GNC6010、GNC6030、GNC6050、GNC60100六款。
该公司专注于高端射频模拟半导体的研发、设计和制造，产品广泛应用于4G/5G宏基站、4G/5G小基站、室内分布系统、无线物联网IoT等领域。
据北京普能微电子介绍，这一系列GaN产品采用了独特的电路设计方案，为客户提供低成本的塑封和高可靠性的陶瓷封装，以满足不同市场需求。同时，产品支持宽带应用，覆盖DC-6GHz主流应用，可广泛应用于4G和5G移动通信基站、专网通信、多天线相控阵、射频电源、射频能量等领域。
第三代半导体材料代表的碳化硅（SiC）和GaN因其更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子迁移率等特性，逐渐成为新能源汽车、光伏储能、5G通讯、特高压等领域的理想选择。其中，GaN尤其适用于制作高频、高效、高温、高压大功率微波射频器件，是下一代通信、雷达、制导等电子装置迈向更大功率、更高频率、更小体积和更强环境适应性的关键技术。
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