Transphorm宣布，公司成功推出了三款采用创新TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。这一全新的封装配置采用了产业标准，使得TOLL封装的SuperGaN功率管能够直接替代任何使用传统e-mode TOLL方案的器件。
这三款表面贴装型器件（SMD）的目标应用是平均运行功率范围为1,000~3,000瓦的高功率应用，这类电力系统广泛应用于各种高效能领域，包括计算（人工智能、服务器、电信、数据中心）、能源和工业（光伏逆变器、伺服电机）以及其他广泛的工业市场。目前，氮化镓在这一市场领域的全球潜在市场规模达25亿美元。更重要的是，这款新型功率器件已成为快速发展的人工智能（AI）系统的理想解决方案，因为AI系统依赖于GPU，而GPU的功耗是传统CPU的10~15倍。
为了满足这一市场需求，Transphorm凭借其领先的技术实力和丰富的行业经验，成功开发出了这三款新型TOLL封装SuperGaN FET。它们不仅具有高导通电阻，还具备了Transphorm经验证的高压动态（开关）导通电阻可靠性，这是市场上许多主流代工氮化镓所无法比拟的优势。
现在，各类高效能领域的知名客户开始采用Transphorm的高功率氮化镓器件，高效能系统，支持数据中心电源、高功率电竞PSU、UPS和微型逆变器等应用领域。新型TOLL封装器件可用于电动汽车的DC-DC转换器和车载充电器，核心SuperGaN芯片已通过汽车产业标准认证。
Transphorm的这一创新举措不仅进一步巩固了其在高功率氮化镓市场的领先地位，也再次证明了其在推动氮化镓技术发展和应用方面的决心和能力。随着人工智能和高效能计算需求的不断增长，Transphorm的新型TOLL封装SuperGaN FET将在未来发挥越来越重要的作用，为各类高效能领域提供更高效、更可靠的电力解决方案。
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