近日，浙江省发改委公布了51家单位被认定为浙江省工程研究中心。其中，矽力杰在浙大科创中心的牵头下，联合绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、浙江富特科技股份有限公司和麦田能源股份有限公司共同建立了宽禁带功率器件与应用浙江省工程研究中心，并成功获得批准。
该中心将围绕宽禁带功率半导体的器件与电源管理技术，构建一个贯通“器件-封装测试-电源变换装备”的完善技术链及产业应用体系。重点研究方向包括突破一维电阻极限的碳化硅（SiC）单极型器件技术、宽禁带器件先进封装测试技术的高效率高密度电源变换技术和产业化。
宽禁带半导体是指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，而当前主流的半导体材料硅的禁带宽度大约是1.12eV。碳化硅和氮化镓是宽禁带半导体的代表，由于其禁带宽度大、电子迁移率高，因此被广泛应用于移动通信、汽车电子、光伏储能以及光电领域。随着终端电力电子产品的迭代升级，传统硅基元件已无法满足高功率、高压场景的需求，碳化硅、氮化镓器件的市场需求持续增长。
TrendForce预计到2026年，全球碳化硅功率市场规模将达到53.3亿美元，年复合增长率达35%；而全球氮化镓功率市场规模也将达到13.3亿美元，年复合增长率达65%。
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