三星电子加速1c DRAM量产布局，HBM4技术领先一步

据业内人士透露，三星电子计划在今年下半年投资扩大华城与平泽地区的1c DRAM（第6代10纳米级DRAM）产能。这一计划的实施，将为三星电子在高带宽存储器（HBM4）领域的竞争力提供重要支撑。
今年早些时候，三星电子已在平泽第四园区（P4）启动了第一条1c DRAM量产线的建设。当时规划的月产能为3万片，但目前三星正考虑追加投资，预计下半年将产能提升至每月至少4万片。与此同时，三星电子还计划在其华城工厂的17号生产线引入1c DRAM技术。此前，该生产线主要用于生产1z（10纳米级第三代）DRAM，但随着传统工艺需求的下降，三星正逐步将资源转向更先进的制程。
据分析，三星电子在HBM4的商业化进程中面临一定挑战，因此选择通过大规模量产1c DRAM来巩固其技术领先地位。与SK海力士和美光等竞争对手采用1b DRAM作为HBM4的基础不同，三星电子决定直接应用更先进的1c DRAM技术。

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