三星研发结合DRAM与NAND的CXL混合存储器模块

据韩媒ET News和ZDNet Korea报道，在韩国举办的AI半导体早餐论坛上，三星存储器事业部DRAM设计团队负责人孙教民以“面向AI时代的DRAM解决方案”为题发表演讲，介绍了三星在下一代DRAM技术上的最新进展。
目前，三星正开发多种新型DRAM解决方案，其中包括结合NAND Flash与CXL（Compute Express Link）模块的混合存储器结构。这种混合结构被称为“CMM-Hybrid”，通过在DRAM模块中加入NAND存储器，可显著提升存储容量，同时实现传统DRAM无法支持的新应用。孙教民指出，这种技术具有很高的发展潜力，能够满足AI产业对高性能存储器的需求。
目前已商业化的CXL 1.1和2.0版本基于存储器模块CMM-D，搭载具备CXL功能的DRAM。而CMM-Hybrid作为下一代解决方案，正在通过FPGA原型进行验证，目标是在2027年实现商业化。此外，三星还在研发多种形态的存储器技术，以应对主机CPU与存储器间传输带宽及容量的限制。
孙教民还提到，高带宽存储器（HBM）虽在服务器领域持续受到关注，但其高成本和高功耗限制了应用场景。相比之下，LPDDR-PIM与CXL等技术成为更具性价比的解决方案。LPDDR6规格的开发也已进入讨论阶段，三星正与联合电子设备工程委员会（JEDEC）密切合作，推动相关技术标准化。

CXL作为一种新兴互连技术，被业界视为突破传统存储器架构瓶颈的重要方案。通过PCIe通道扩展存储器容量，CXL能够实现CPU、GPU、存储器扩展模块和存储装置的高效协同运作，显著提升数据处理效率。这一技术正在为AI时代的存储器需求提供全新的解决路径。

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