英特尔18A制程细节曝光，或成台积电2nm强劲对手

据VLSI 2025最新披露的资料显示，英特尔进一步公开了其Intel 18A制程的详细信息。这一制程采用了RibbonFET环绕栅极晶体管（GAA）技术，能够实现对电流的精准控制，同时引入了业界首创的PowerVia背面供电技术。
根据英特尔官网此前的介绍，PowerVia技术可将芯片密度和单元利用率提升5%至10%，并显著降低电阻供电下降问题，从而使ISO功率性能提升高达4%。与Intel 3工艺节点相比，Intel 18A的每瓦性能提升了15%，芯片密度提高了30%。此外，Intel 18A还提供了高性能（HP）和高密度（HD）库，具备全面的技术设计功能和优化的设计易用性。
在PPA（性能、功耗、面积）对比中，Intel 18A在标准Arm内核子块上，于1.1V电压下实现了25%的速度提升和36%的功耗降低。同时，该工艺在面积利用率上优于Intel 3，表明其在面积效率和更高密度设计方面具有潜力。
资料中还包含一张“电压下降”图，展示了Intel 18A在高性能条件下的稳定性。得益于PowerVia技术，该工艺能够提供更稳定的电力输送。此外，供电电路库对比显示，背面供电技术使英特尔实现了更紧凑的供电电路封装，从而提高了面积效率。
据KeyBanc Capital Markets分析师John Vinh透露，Intel 18A的关键性能指标（包括良率和缺陷密度）正朝着积极方向发展，且处于可接受水平。英特尔工程经理Pankaj Marria今年3月也曾在LinkedIn上发文称，Intel 18A制程已实现重要里程碑，团队在亚利桑那州完成了首批生产。
根据计划，Intel 18A将由英特尔的PC处理器Panther Lake首发搭载，服务器处理器Clearwater Forest也将采用该工艺。预计相关产品将在2025年下半年推出，2026年正式上市。若良率稳定，Intel 18A有望成为台积电2nm制程的有力竞争者。

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