芯盟科技功率半导体项目竣工

近期，芯盟科技位于浙江省龙游县经济开发区的高等级功率半导体厂房项目顺利通过竣工验收。据微龙游消息，该项目总投资超过5100万元，建筑面积达25000多平方米，主体建筑包括厂房、综合楼、门卫、材料库及室外附属配套，总计5层。
芯盟科技是全球首家研发出垂直沟道三维存储器并实现商业化的企业，其3D异构集成HITOC™键合技术可实现线宽0.9μm，芯片连接点数超过100万个，键合密度处于全球领先地位。
该项目主要涵盖IGBT芯片、IGBT大功率模块和分立器件的生产，同时积极布局碳化硅功率器件领域。预计建成后，年产能可达300万只高等级功率半导体模块。
近期，芯盟科技还接连申请了两项技术专利。3月19日，公司向国家知识产权局提交了一项名为“动态随机存储器及其读操作方法、电子设备”的专利，公开号为CN119626287A。该专利通过优化DRAM设计，显著提高了存储器的感应裕度和读出性能。4月5日，芯盟科技获得了一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，授权公告号为CN113629011B。该专利涉及创新材料和工艺，有望提升半导体器件的耐用性和能效，广泛应用于智能设备、通信基础设施及消费电子等领域。
图源：微龙游

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