三星2nm良率被曝提至40%，计划量产Exynos 2600芯片

据韩媒asiae报道，三星计划于2025年11月量产首款采用2纳米工艺的Exynos 2600芯片。若该芯片顺利搭载于2026年初发布的Galaxy S26系列，三星将借此展示其2纳米技术实力，吸引更多外部客户。
Exynos 2600采用了Gate-All-Around（GAA）技术，这一工艺相比传统的FinFET技术更为先进。GAA技术通过四面环绕晶体管结构，显著提升了芯片性能并降低了功耗，满足高性能芯片需求。三星此前已率先实现3纳米GAA工艺的量产，但因良率较低，未能扭转代工业务的亏损局面。
新任Foundry事业部负责人韩真晚（Han Jinman）上任后，三星在2纳米工艺上取得了显著进展。他上任仅四个月，便着手优化生产良率，并全面调整了生产线和运营模式。目前，2纳米工艺的良率已从年初的20-30%提升至40%以上，远超3纳米时期的表现。
尽管如此，三星与行业龙头台积电的差距依然明显。据TrendForce数据显示，2024年第四季度，台积电的市场份额达67.1%，而三星仅为8.1%，首次跌至个位数。此外，台积电的2纳米工艺初期良率已达到60%，而量产通常需要良率达到70-80%。三星需在下半年进一步优化工艺，以缩小与台积电的差距。
韩真晚提出了“技术提升”和“客户拓展”两大目标，推动代工业务转型。他积极拓展三星的客户群，从北美大厂扩展至中国、印度和欧洲的设计公司，增加成熟制程订单，以降低固定成本并提升竞争力。

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