创意电子成功投片HBM4控制器与PHY IP，采用台积电N3P制程

创意电子于4月2日宣布，成功完成HBM4控制器与实体层（PHY）半导体IP的投片。这款芯片采用了台积电的N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装技术，实现了性能的显著提升。
据创意电子透露，HBM4 IP支持高达12Gbps的数据传输速率。通过创新的中介层（interposer）布局设计，优化了信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保HBM4在多种CoWoS技术下都能稳定运行于高速模式。相比HBM3，HBM4 PHY的带宽提升了2.5倍，功耗效率提高了1.5倍，面积效率更是提升了2倍。
此外，创意电子表示，HBM4 IP将继续与proteanTecs在HBM、Glink与UCIe IP领域展开技术合作。HBM4 IP还整合了proteanTecs的互连监测解决方案，提供HBM联机信号的可观测性与电气特性分析，从而进一步提升终端产品的性能与可靠性。
创意电子总经理戴尚义表示，公司很自豪成为全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器与PHY IP的企业。未来，创意电子将继续提供业界领先的2.5D/3D IP与服务，通过整合HBM4、UCIe-A与UCIe-3D IP，为半导体产业提供全面性解决方案，以满足市场不断演进的需求。
HBM4 IP的设计亮点包括：在所有sign-off PVT条件下均可达到12Gbps；高总线利用率，随机读写存取时可达约90%；创新中介层（interposer）布局设计，确保各类CoWoS技术下的最佳SI/PI表现；内建由proteanTecs提供的每通道实时I/O及clock能效与健康监测电路。
该里程碑进一步强化了创意电子在先进IP领域的布局，将HBM4纳入HBM3/3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解决方案之列，共同构成完整的2.5D与3D解决方案，为客户提供强大支持，以应对AI、高性能运算（HPC）等最具挑战性的应用需求。

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