ST与英诺赛科达成氮化镓技术合作

近日，意法半导体与英诺赛科签署了一项氮化镓技术开发与制造协议，双方将结合各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力与供应链韧性。据意法半导体透露，两家公司均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将充分发挥IDM模式的优势。
英诺赛科在公告中指出，氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。公司已率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，累计出货超10亿颗氮化镓器件，覆盖多个领域市场。通过与意法半导体的战略合作，双方将共同开发下一代氮化镓技术，加速其普及。
此次合作中，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可利用英诺赛科在中国的制造资源生产自有氮化镓晶圆。意法半导体表示，这将有助于完善其现有的硅和碳化硅产品组合，并通过灵活的制造模式更好地服务全球客户。
技术方面，双方将致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。资料显示，英诺赛科的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压领域，涵盖从15V至1200V的工艺节点，其晶圆、分立器件、集成功率集成电路（IC）及模组产品为客户提供了强劲可靠的解决方案。
近日，英诺赛科发布的公告显示，2024年公司营业收入达人民币8.28亿元，同比增长39.8%。其中，消费电子应用领域收入同比增长48%。在新能源汽车、AI及人形机器人领域，公司也取得了显著进展：车规级氮化镓交付数量同比增长986.7%，AI及数据中心芯片交付数量同比增长669.8%。

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