英飞凌展示氮化镓与机器人创新技术

3月14日，英飞凌在2025消费、计算与通讯创新大会（ICIC 2025）上，围绕AI、机器人、边缘计算及氮化镓应用等热点话题展开深入探讨。会上，英飞凌首次在中国展示了两款突破性技术成果——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆。
英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁潘大伟参观两款首次在中国实体展示的晶圆
英飞凌在氮化镓技术领域取得显著进展，其300mm氮化镓功率半导体晶圆已实现量产突破。新一代中压CoolGaN™器件将系统效率提升至96%，大幅降低数据中心、电信及家电领域的能耗与成本。此外，英飞凌推出的20μm超薄硅晶圆技术，显著提高了功率转换解决方案的能效、功率密度和可靠性，为行业带来全新技术选择。
在硅基半导体领域，英飞凌发布了CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET系列产品，覆盖从低功率到高功率的消费类和工业应用。作为宽禁带半导体的高性价比替代方案，CoolMOS™ 8不仅提升了功率密度，还确保了器件的可靠性，同时兼容CoolMOS™ 7，支持600V和650V两种电压等级。
此外，英飞凌还推出了PSOC™ Control C3 MCU，这是一款基于Arm® Cortex®-M33的高性能微控制器，频率最高可达180MHz。在ModusToolbox™工具和软件的支持下，该产品为电机控制和功率转换系统提供了高效、可靠且安全的解决方案，适用于家用电器、智能家居及光伏逆变器等场景。
英飞凌将机器人视为未来高增长潜力的核心领域，提供从电源产品、传感器、微控制器到连接芯片和电机驱动的全栈解决方案。其创新技术赋能机器人实现智能化、高效化和轻量化。例如，基于CoolGaN™的驱动系统使双足机器人的动态响应速度提升25-50%。据英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁潘大伟介绍，氮化镓技术在机器人关节中的应用可显著缩小系统体积、减轻重量，并延长电池续航能力。

英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁潘大伟表示，2025年是英飞凌进入中国市场的30周年。未来，英飞凌将继续深化“在中国、为中国”的本土化战略，围绕运营、创新、生产及生态等方面，为客户创造更多价值。英飞凌计划扩大MCUs、MOSFETs等通用半导体产品的本地化生产，以满足新能源、汽车、工业控制及消费电子等领域的需求。
英飞凌还与本土企业合作开发定制化方案，如为某头部企业设计的模块化关节控制器，集成驱动、传感与安全功能，成本降低20%。通过全流程支持，英飞凌助力客户加速产品上市周期，推动机器人、AI数据中心及边缘计算等领域的创新发展。

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