国内碳化硅技术突破：晶驰机电与臻晶半导体传来新进展

近期，晶驰机电和臻晶半导体两家企业相继传来好消息，分别在电阻法和液相法碳化硅晶体生长技术上取得重要进展。
据晶驰机电官微3月24日消息，该公司自主研发的“电阻法碳化硅单晶生长设备”在今年3月成功完成了十二寸多晶生长验证。这一成果为第三代半导体材料的低成本扩径量产提供了全新解决方案。晶驰机电表示，该设备可通过创新热场方案实现同一台设备稳定量产八寸和十二寸碳化硅单晶，晶锭形态完美，表面微凸度控制在2.4mm以内，突破了多尺寸生长技术的壁垒。
晶驰机电是浙江大学杭州科创中心孵化的企业，其产品覆盖第三代和第四代半导体材料装备，包括碳化硅晶体生长设备（PVT法）、金刚石生长设备（MPCVD法）等。此外，今年1月，晶驰机电自主研发的“全自动碳化硅腐蚀清洗设备”成功交付海外客户，标志着其在国际市场上迈出重要一步。
臻晶半导体近期也推出了自主研发的液相法碳化硅电阻炉技术，为碳化硅晶体生长提供了全新选择。该单晶炉支持6至8英寸大直径设计，能够满足不同尺寸晶体生长需求。其多点温度实时监控功能可实现温场空间的稳定调控，而多元活性助溶技术则通过优化助熔剂配方提升溶碳量，从而提高晶体生长速率和良率。
臻晶半导体表示，液相法碳化硅长晶工艺是其核心竞争力之一。该工艺通过精确控制生长参数，实现了碳化硅晶体的可控生长，不仅提升了晶体的质量和尺寸规则性，还降低了生长温度和缺陷密度。从市场前景来看，随着新能源汽车、数据中心等新兴产业的崛起，高性能碳化硅材料需求持续增长，液相法碳化硅电阻炉技术的应用潜力巨大。
图源：晶驰机电

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