镓仁半导体实现4英寸氧化镓单晶导电型掺杂突破

据镓仁半导体官微消息，杭州镓仁半导体有限公司有新进展。公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备，优化工艺，采用垂直布里奇曼（VB）法，成功实现 4 英寸氧化镓单晶的导电型掺杂。
GYN28资讯网——每日最新资讯28at.com

GYN28资讯网——每日最新资讯28at.com

此前，镓仁半导体在 VB 法氧化镓单晶生长上，已实现直径 4 英寸的突破。之后，团队在此基础上开展导电型掺杂工作。令人惊喜的是，研发团队仅用一炉次，就完成了 4 英寸导电型氧化镓单晶的生长，并且长晶结果稳定可重复。GYN28资讯网——每日最新资讯28at.com

GYN28资讯网——每日最新资讯28at.com

这充分展现出镓仁半导体自研的氧化镓专用晶体生长设备，以及配套的晶体生长工艺，在 VB 法氧化镓单晶生长方面，具备高适配性、高稳定性和高容错率的优势。GYN28资讯网——每日最新资讯28at.com

GYN28资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-27-132212-0.html镓仁半导体实现4英寸氧化镓单晶导电型掺杂突破

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： 特朗普计划对进口汽车征25%关税

下一篇： 珠城科技借比亚迪智驾战略，迎来业务新机遇