6 月 5 日消息，今年 2 月，@Tech_Reve 曾爆料称，高通骁龙 8 Gen 4 等今年的旗舰芯片都将基于台积电 3nm 工艺制造，而明年推出的骁龙 8 Gen 5 将会同时采用台积电 + 三星电子生产。
在昨日于台北国际电脑展举行的一次媒体发布会上，高通 CEO 克里斯蒂亚诺・安蒙在回答一位记者有关“依赖台积电生产智能手机芯片的风险”时表示，他正考虑让台积电与三星电子实施双源生产战略。
安蒙表示：“目前的首要任务是专注于台积电的代工生产，但让一家公司同时处理这两个方面可能需要付出巨大努力。” 他欢迎与台积电和三星电子继续合作，并表示将继续支持这种方式。
众所周知，初代骁龙 8 芯片便是由三星电子代工，但由于过热等问题后续又转向了台积电。然而，随着刚刚发布的骁龙 X Elite 芯片需求急剧增加，高通似乎不得不再次考虑与三星进行合作。
此外，高通内部也对三星电子下一代 2nm 工艺制程表示赞赏，并正在考虑重新分配产能，以实现其制造过程的多元化。
@Tech_Reve 曾爆料称，高通计划继续让台积电来生产骁龙 8 Gen 5 芯片（N3E），而用于Galaxy S26 系列手机的骁龙 8 Gen 5 for Galaxy芯片将采用三星 SF2P 工艺。
IT酷哥注：与 SF3 相比，SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下提高 12% 的性能，在相同的性能和复杂度下减少 5% 的面积。
为了让 SF2 工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的 IP 组合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。
而 SF2P 是在 SF2 工艺基础上，针对高性能计算（HPC）再次优化，预估在性能方面会有更大的改进。
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《消息称高通骁龙 8 Gen 5 采用台积电 N3E 工艺，Galaxy 版采用三星 SF2P 工艺》
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