SK海力士近日宣布，成功完成面向人工智能（AI）领域的新一代高带宽存储器HBM4的研发，并首次建立全球量产体系。这一突破性成果标志着公司在AI存储技术领域进一步巩固了领导地位，为应对日益增长的AI算力需求提供了关键解决方案。
据公司介绍，HBM4通过技术创新实现了性能与能效的双重提升。相较于前代产品，其数据传输通道数量翻倍至2048条，带宽扩大一倍的同时，能效提升超过40%。这一突破使HBM4成为全球数据处理速度和能效水平最高的存储器产品。测试数据显示，搭载HBM4的AI系统性能最高可提升69%，同时能显著降低数据中心的电力消耗，有效缓解当前AI基础设施面临的能耗压力。
在技术实现方面，HBM4采用了SK海力士自主研发的第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，并引入了改进版的批量回流模制底部填充（MR-MUF）技术。该技术通过在芯片堆叠过程中注入液态保护材料并固化，不仅简化了生产流程，还优化了散热效果。与传统薄膜填充方式相比，MR-MUF技术减少了芯片堆叠时的物理压力，提升了翘曲控制能力，为稳定量产提供了重要保障。
SK海力士HBM开发部门副社长赵珠焕表示，HBM4的研发完成是行业发展的重要里程碑。公司致力于通过及时交付兼具性能、能效和可靠性的产品，巩固在AI存储市场的竞争优势，并加速产品上市周期。他强调，随着AI应用对数据处理速度和能效的要求不断提高，HBM4将成为满足市场需求的核心解决方案。
值得注意的是，HBM4的运行速度突破了JEDEC标准规定的8Gbps限制，达到每秒10千兆比特以上。这一性能提升使得HBM4能够更好地支持高负载AI计算任务，为训练和推理场景提供更高效的存储支持。公司预测，HBM4的广泛应用将推动AI服务性能迈向新台阶，同时降低整体运营成本。
SK海力士AI基础设施部门首席营销官金柱善指出，HBM4的量产不仅是技术突破，更是解决AI时代关键挑战的核心产品。公司计划通过持续创新，提供覆盖全场景的AI存储解决方案，目标成为“全方位AI存储供应商”。他透露，HBM4已进入客户验证阶段，预计将很快实现规模化供应。
行业分析认为，SK海力士此次技术突破将重塑高端存储市场竞争格局。随着AI大模型参数规模持续扩大，对高带宽、低功耗存储器的需求呈现爆发式增长。HBM4的推出恰逢其时，有望帮助数据中心运营商在提升计算能力的同时控制运营成本，为AI技术的普及奠定硬件基础。
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