4 月 8 日消息，德国铁电存储器公司（FMC）宣布与半导体企业 Neumonda 达成战略合作，将在德国德累斯顿建立新型非易失性存储芯片（FeRAM）生产线。
这是继 2009 年英飞凌、奇梦达德国DRAM 工厂破产关停后，欧洲首次尝试重启存储芯片本土化生产。
双方此次合作的核心是 FMC 研发的 "DRAM+" 技术。该技术采用 10nm 以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）作为铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT 材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 级别，同时保持断电不丢失数据的特性。
IT酷哥注：FeRAM类似于 SDRAM，是一种随机存取存储器技术。它使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，因此也拥有了非挥发性内存的功能。
FMC 首席执行官 Thomas Rueckes 解释称：“铪氧化物的铁电效应将 DRAM 电容转变为非易失性存储单元，在保持高性能的同时实现低功耗，特别适合 AI 运算的持久内存需求。”
合作双方将依托 Neumonda 开发的 Rhinoe、Octopus、Raptor 三大测试系统，构建从研发到量产的完整链条。
Neumonda 首席执行官 Peter Poechmueller 表示：“我们的终极目标是重建德国的存储芯片产业，本次合作迈出了关键一步。”
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