深圳湾万丽酒店近日迎来第四届GMIF2025创新峰会，这场以"AI应用，创新赋能"为主题的行业盛会，吸引了全球存储与人工智能领域的顶尖企业与专家。作为存储技术的重要推动者，铠侠在峰会上展示了基于BiCS FLASH™技术的全场景存储解决方案，其中245.76TB企业级SSD的亮相引发业界广泛关注。
面对AI时代爆发式增长的存储需求，铠侠提出了"技术驱动、规模增效、合作共赢"的核心发展战略。公司表示将依托BiCS Flash技术的持续创新，通过扩大生产规模和深化产业协作，为数据中心、智能终端等场景提供高性能存储解决方案。在财务运营方面，铠侠计划将设备投资控制在销售额20%以内，通过精准的资源配置实现盈利能力与财务健康的平衡发展。
技术突破成为铠侠展区的核心亮点。其最新发布的第9代BiCS FLASH 3D闪存技术已启动样品出货，该技术采用先进的CBA（CMOS直接键合阵列）架构，在120层堆叠结构上实现了写入性能61%、读取性能12%的提升，能效指标分别提高36%和27%。特别值得关注的是，其NAND接口传输速率达到3.6Gb/s，演示环境下更突破4.8Gb/s，位密度提升8%的技术突破为AI计算提供了强有力的存储支撑。
在产品线布局上，铠侠展现了全面的市场覆盖能力。针对AI推理系统对高性能存储的迫切需求，公司推出了CM9系列企业级SSD，通过优化数据传输路径显著提升GPU数据调用效率。面向超大规模数据中心，LC9系列以245.76TB的容量创下行业新纪录。更引人注目的是专为AI加速研发的5TB闪存模块，其64GB/s的带宽设计将重新定义GPU计算的存储架构。
中国市场在铠侠的战略版图中占据特殊地位。随着国内智能手机、AI PC和数据中心市场的快速增长，铠侠正加大在华研发投入，重点布局消费级SSD和企业级存储解决方案。公司表示将通过本地化研发团队和定制化产品策略，深度参与中国数字经济建设，特别是在AI存储领域与本土企业开展多维合作。
对于存储技术的未来演进，铠侠披露了多维度的创新路径。在现有3D NAND技术领域，公司将通过堆叠层数提升、横向微缩技术、CBA工艺优化和多位存储技术四大方向实现突破。同时，基于氧化物半导体的OCTRAM和MRAM等新型存储器的研发已进入实质阶段，这些技术有望突破传统3D闪存的物理极限，为AI计算提供更高效的存储解决方案。
在峰会现场，铠侠技术人员详细解析了BiCS 9与BiCS 10的技术差异。前者通过CBA技术与现有设备的兼容实现性价比优化，主要面向中低容量市场；后者则通过增加堆叠层数突破容量上限，瞄准未来高密度存储需求。这种"双轨并行"策略使铠侠能够同时满足当前市场需求与长期技术发展。
随着AI计算对存储性能要求的持续提升，铠侠的技术创新正在重塑产业格局。其展示的全场景存储解决方案不仅覆盖了从消费电子到企业级应用的完整链条，更通过持续的技术迭代保持着行业领先地位。特别是在中国这个全球最大的电子消费市场，铠侠的本地化战略和技术投入正在为AI时代的存储变革奠定坚实基础。
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