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全球首次超300层!SK海力士官宣量产321层QLC NAND闪存

来源: 责编: 时间:2025-08-25 13:23:06 68观看
导读 快科技8月25日消息,SK海力士宣布,已完成开发并开始量产其321层2Tb QLC NAND闪存产品。这也是全球首次使用QLC技术实现超过300层的NAND闪存,SK海力士计划在明年上半年完成全球客户验证后正式推出该产品。为了大

快科技8月25日消息,SK海力士宣布,已完成开发并开始量产其321层2Tb QLC NAND闪存产品。KD828资讯网——每日最新资讯28at.com

这也是全球首次使用QLC技术实现超过300层的NAND闪存,SK海力士计划在明年上半年完成全球客户验证后正式推出该产品。KD828资讯网——每日最新资讯28at.com

为了大化新产品的成本竞争力,SK海力士开发了一款容量为2Tb的设备,其容量是现有解决方案的两倍。KD828资讯网——每日最新资讯28at.com

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为解决大容量NAND可能出现的性能下降问题,公司还将芯片内独立操作单元(平面)的数量从4个增加到6个,从而实现更大的并行处理能力,明显提升了同时读取性能。KD828资讯网——每日最新资讯28at.com

因此与之前的QLC产品相比,321层QLC NAND在容量和性能上都有明显提升,数据传输速度翻倍,写入性能提高了56%,读取性能提高了18%,此外写入功耗效率也提高了23%以上。KD828资讯网——每日最新资讯28at.com

SK海力士计划首先将321层NAND应用于PC SSD,然后扩展到数据中心的企业级SSD和智能手机的UFS。KD828资讯网——每日最新资讯28at.com

此外SK海力士也将基于堆叠32个NAND闪存的封装技术,达到比现有高出一倍的集成度,进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。KD828资讯网——每日最新资讯28at.com

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