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EUV随便买就是任性 SK海力士DDR5内存用上5+层EUV

来源: 责编: 时间:2025-08-12 15:24:48 126观看
导读 快科技8月11日消息,逻辑芯片在进入5nm节点之后全面使用了EUV工艺,存储芯片使用DUV工艺为主,这四五年才刚开始尝试EUV工艺,现在SK海力士公司更为激进,新一代DDR5将使用5层及以上EUV光刻。大家都知道,相比于DUV光刻

快科技8月11日消息,逻辑芯片在进入5nm节点之后全面使用了EUV工艺,存储芯片使用DUV工艺为主,这四五年才刚开始尝试EUV工艺,现在SK海力士公司更为激进,新一代DDR5将使用5层及以上EUV光刻。h3828资讯网——每日最新资讯28at.com

大家都知道,相比于DUV光刻,EUV光刻的13.5nm波长更短,光刻精度更高,有助于提告密度,减少工艺复杂性,以往需要多次光刻的步骤在EUV上可能一次就够了,这对DRAM内存芯片来说也是适用的。h3828资讯网——每日最新资讯28at.com

三星早在2020年就率先宣布在内存芯片中使用EUV光刻,美光随后也跟上了,SK海力士晚了一年在2021年才宣布在第四代10nm级工艺上使用EUV光刻,不过之前DRAM芯片往往只使用了1层EUV光刻。h3828资讯网——每日最新资讯28at.com

现在SK海力士要加码EUV,第六代10nm级DDR5芯片(1c DRAM)将全面改进光刻工艺,EUV光刻层数将提升到5层以上,并且在未来的1d、0a级别内存上全面使用EUV光刻。h3828资讯网——每日最新资讯28at.com

不过首发的产品规格并不高,DDR5内存的颗粒还是16Gb的,并没有太过追求容量提升,还是主流水平。h3828资讯网——每日最新资讯28at.com

除了DDR5内存芯片,HBM家族的芯片未来也会大量使用EUV光刻工艺,SK海力士希望用技术优势让对手追无可追,希望甩开三星的意图很明显。h3828资讯网——每日最新资讯28at.com

不仅如此,SK海力士还在下一代的EUV光刻机——High NA EUV上押注颇多,后者的NA数值孔径从当前EUV的0.33提升到0.55,精度更高,不过光刻机的价格也贵了很多,从1.5-2亿美元暴涨到4亿美元甚至更高。h3828资讯网——每日最新资讯28at.com

SK海力士计划从2026年开始使用High NA EUV光刻机生产内存芯片。h3828资讯网——每日最新资讯28at.com

EUV随便买就是任性 SK海力士DDR5内存用上6层EUVh3828资讯网——每日最新资讯28at.com

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