快科技3月13日消息，新一年的闪存市场峰会MemoryS 2025在深圳举办，江波龙董事长、总经理蔡华波在演讲中披露了多项新技术、新产品，尤其是在UFS、eMMC嵌入式手机存储方面取得了重大突破。
据介绍，从2024年的eMMC主控和SD主控，到2025年的UFS主控和USB主控，江波龙不断丰富自研主控产品，核心IP均为自主研发。
新的UFS 4.1产品方面，江波龙打造了新款主控WM7400，基于国际先进的Foundry工艺，封装尺寸仅为13×9毫米，缩小了18％。
它的一大特点就是特别支持Hybrid NAND，可同时支持TLC、QLC闪存，比如一颗TLC搭配一颗QLC，分别用于运行系统软件、存储用户数据，发挥各自在性能、容量方面的优势，当然也可以单独搭配SLC、pMLC、TLC、QLC。
这款主控采用高性能芯片架构，支持Prime LDPC、SECDED、RAID等多项高可靠特性，具备更高的H8待机功耗、能效比。
双通道设计，IO接口速率3600MT/s，耐受温度范围从-40℃到105℃。
支持闪存容量高可达2TB，标称顺序读写速度高达4350MB/s、4200MB/s，，随机读写速度高达750K IOPS、630K IOPS。
现场实际测试，完美达成了所有标称性能数据。
此外，它还支持主机碎片化整理技术、写加速2.0、写融合、映射表缓存压缩等创新特性。
除了旗舰手机，它还可用于高端平板、智能汽车、人形机器人等产品。
目前，WM7400已在业界多个主流平台完成兼容性测试，高通骁龙、联发科天玑均支持。
eMMC已经非常成熟，市场需求依然广阔，无论是国内的入门机型还是非洲市场，但它已停止发展。
江波龙全新定义了升级版的eMMC Ultra，采用超协议设计，并自研了新款主控WM6000。
它突破了eMMC 5.1标准的限制，将带宽再次提升50％而达到600MB/s。
实测256GB容量的顺序读写速度可达464MB/s、355MB/s，已经比较接近UFS 2.2 64GB，而随机读写可达184MB/s、199MB/s，完全比肩UFS 2.2 64GB，而相比标准eMMC 5.1提升了20-50％不等。
除了低端手机，平板、智能穿戴、智能电视、智能汽车领域也有很大的应用空间。
江波龙LPDDR5X内存芯片，专为旗舰手机等设计，高支持8533MT/s的速率，容量12-16GB。
496Ball双层四栋堆叠封装，厚度大只有0.71毫米，减少近30％，还支持SoC直贴整合封装。
江波龙uMCP复合式存储，高度集成，支持512GB+8GB大容量，可简化PCB设计、节省空间，适合手机、平板、穿戴等智能设备。
方案采用江波龙自研的UFS 4.1、UFS 2.主控，以及搭配LPDDR4X/5X内存，还有自有封测能力。
江波龙在汽车存储领域也取得了不小的突破，2024年市场增长接近100％，与20多家主机厂商达成合作。
产品已广泛覆盖车规UFS、车规eMMC、车规LPDDR4X、车规SPI、车载数据备份U盘、车载数据黑匣子等等，还有自研主控/固件算法、自有封测工艺。
江波龙企业级存储业务收入已突破9亿，产品覆盖PCIe eSSD、SATA SSD、RDIMM(大128GB)，以及Intel新提出的、至强6处理器专用的MRDIMM，单条容量已做到256GB。
值得一提的是，江波龙还坚持出海战略，尤其是在巴西，收购了中南美洲大的存储制造商Zilia（智忆巴西），其拥有27年的巴西本地制造经验，并在去年启动了江波龙存储产线，产品出口欧美市场关税政策更友好。
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