三星计划2030年实现1000层NAND！使用长江存储专利技术

快科技2月26日消息，随着NAND闪存技术竞争日益激烈，三星电子公布的路线图显示，计划到2030年开发出1000层的NAND闪存。Qx728资讯网——每日最新资讯28at.com

为了实现这一目标，三星计划引入一种名为“多BV”（multi-BV）的NAND结构，通过堆叠四片晶圆来突破结构限制。Qx728资讯网——每日最新资讯28at.com

三星电子DS部门首席技术官宋在赫（Song Jae-hyuk）透露，三星将采用晶圆键合技术，分别制造外围晶圆和单元晶圆，然后将它们键合在一起形成单一的半导体，这种技术预计将在三星的V10（第10代）NAND中首次应用。Qx728资讯网——每日最新资讯28at.com

此前，三星在NAND生产中采用的是COP方法，即将外围电路放在一块晶圆上，然后将单元堆叠在上面，随着层数的增加，底层外围电路的压力会影响可靠性。Qx728资讯网——每日最新资讯28at.com

为了实现更高的层数，三星决定与长江存储合作，使用其混合键合专利技术，从V10 NAND开始，三星将引入这一技术。Qx728资讯网——每日最新资讯28at.com

据ZDNet报道，三星计划在2025年下半年开始量产V10 NAND，预计层数将达到420至430层。Qx728资讯网——每日最新资讯28at.com

除了晶圆键合技术外，三星还计划在未来的NAND生产中引入多种关键技术，包括低温刻蚀和钼的使用，这些技术将从400层NAND开始应用。Qx728资讯网——每日最新资讯28at.com

Qx728资讯网——每日最新资讯28at.com

本文链接：http://www.28at.com/showinfo-24-133940-0.html三星计划2030年实现1000层NAND！使用长江存储专利技术

声明：本网页内容旨在传播知识，若有侵权等问题请及时与本网联系，我们将在第一时间删除处理。邮件：2376512515@qq.com

上一篇： ROG魔盒WIFI7电竞路由器首发1999元：9个2.5G网口

下一篇： 美光DDR5内存升级1γnm工艺 首次EUV！轻松单条128GB 9200MHz