三星电子正计划与美国无晶圆厂半导体设计公司AMD深化合作，共同推进3nm芯片技术的应用。这一消息在比利时举行的Imec ITF World 2024大会上，由AMD CEO苏姿丰宣布，她透露AMD将利用3nm环绕栅极（GAA）技术生产下一代芯片。
三星宣称，3nm GAA技术相较于上一代工艺节点，能够提供30%的性能提升，减少50%的能耗，并降低45%的芯片面积。业界普遍认为，苏姿丰的讲话预示着AMD将正式与三星在3nm技术上展开合作。
尽管三星在存储芯片制造领域占据全球领先地位，但在代工市场上仍远落后于台积电。然而，随着台积电的3nm产能已被苹果和高通等大客户预定，AMD与三星的合作显得尤为重要。台积电计划从2nm节点开始引入GAA技术，这也促使三星加紧提升自身的技术水平。
过去几年，三星和AMD已在智能手机GPU和高带宽内存（HBM）芯片方面展开合作。去年，两家公司签署了一项多年期合作协议，将AMD的高性能Radeon图像锐化功能引入三星的Exynos处理器。此外，三星还将为AMD提供HBM芯片和一站式封装服务。
此次合作有望帮助三星在代工市场上缩小与台积电的差距，为全球半导体行业带来新的突破。总体来看，这一合作不仅提升了双方的技术竞争力，还为整个行业注入了更多创新动力。
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