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3nm旗舰工艺打造 三星Exynos 2500或许能成

来源: 责编: 时间:2024-05-09 09:20:49 205观看
导读 三星从未放弃自家旗舰芯片的打造。据外媒消息透露,三星已经与Synopsys公司合作,将练手打造下一代的3nm旗舰工艺制程芯片,而Synopsys公司的出现就是为了最大限度的提升芯片良率。三星带来的这首款3nm工艺芯片将会采用Gat

三星从未放弃自家旗舰芯片的打造。vQ128资讯网——每日最新资讯28at.com

据外媒消息透露,三星已经与Synopsys公司合作,将练手打造下一代的3nm旗舰工艺制程芯片,而Synopsys公司的出现就是为了最大限度的提升芯片良率。vQ128资讯网——每日最新资讯28at.com

三星带来的这首款3nm工艺芯片将会采用Gate All Around(GAA)工艺,三星GAA设计被称为MCBFET,即多信道桥式FET。vQ128资讯网——每日最新资讯28at.com

与传统的3nm工艺制程芯片相比,三星自家的3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%,性能也将得到改善,与之前的4nm FinFET工艺相比,能效和密度有着20%至30%的提升。vQ128资讯网——每日最新资讯28at.com

按照产品线更新情况,这颗3nm芯片应该就是传闻中的Exynos 2500了,将会在三星Galaxy S25系列上首发搭载,对标的竞品是骁龙8Gen4和联发科天玑9400。vQ128资讯网——每日最新资讯28at.com

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