三星电子被指侵犯哈佛技术专利：涉及骁龙8 Gen1及LPDDR5X

近日，根据路透社消息，哈佛大学在当地时间7月5日向美国得克萨斯州东区地方法院提交起诉书，指控三星电子侵犯其技术专利。ut128资讯网——每日最新资讯28at.com

据悉，指控认为三星电子侵犯了由哈佛大学化学系教授Roy G. Gordon发明，校方受让的两项专利，分别为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”与“氮化钨的气相沉积”。ut128资讯网——每日最新资讯28at.com

哈佛方面称，“这种薄膜对于计算机和手机等众多产品的关键部件至关重要”。ut128资讯网——每日最新资讯28at.com

根据指控，此次专利侵权涉及三星两项产品的生产业务。ut128资讯网——每日最新资讯28at.com

其中，三星在代工骁龙8 Gen1的过程中，未经授权使用了哈佛有关氮化钴薄膜制备相关的技术。ut128资讯网——每日最新资讯28at.com

此外，三星在生产LPDDR5X等内存时，也未经授权使用了哈佛大学钨层沉积专利中至少一项权利要求的每个要素。ut128资讯网——每日最新资讯28at.com

对此，哈佛大学在起诉中要求三星电子停止侵权行为，并支付赔偿。ut128资讯网——每日最新资讯28at.com

目前，哈佛方面没有公开赔偿金具体数额，三星电子方面也暂未对此事做出公开回应。ut128资讯网——每日最新资讯28at.com

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