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天玑旗舰芯片成功流片明年量产在望

来源：责编：时间：2023-09-07 10:54:57 138观看

导读9月7日消息，台湾半导体制造巨头台积电(TSMC)与联发科(MediaTek)今日联合宣布，首款采用台积电最新3纳米制程生产的天玑旗舰芯片已经成功完成流片，有望在明年正式进入量产阶段。这一消息标志着联发科在全球旗舰市场上的雄

9月7日消息，台湾半导体制造巨头台积电(TSMC)与联发科(MediaTek)今日联合宣布，首款采用台积电最新3纳米制程生产的天玑旗舰芯片已经成功完成流片，有望在明年正式进入量产阶段。这一消息标志着联发科在全球旗舰市场上的雄心勃勃计划正顺利推进，旨在为用户提供尖端科技产品，丰富大众生活，以及与全球客户分享高性能、高能效和稳定品质的芯片解决方案，为旗舰市场带来前所未有的用户体验。

据ITBEAR科技资讯了解，台积电的3纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供了全面的平台支持，还在性能、功耗和良率方面实现了进一步的增强。相较于5纳米制程，台积电的3纳米制程技术在相同功耗下提供了高达18%的速度提升，或者在相同速度下降低了32%的功耗，逻辑密度也增加了约60%。这意味着未来联发科的天玑旗舰芯片将能够提供更出色的性能和能效，为用户带来更加卓越的移动体验。

联发科总经理陈冠州表示，台积电作为合作伙伴，以其卓越的制造能力为联发科的旗舰芯片提供了坚实的支持，有助于将卓越设计转化为卓越产品。这一合作的成功将进一步巩固联发科在全球半导体市场的地位，加速了其在旗舰芯片领域的竞争力提升。

未来，随着这一3纳米制程芯片的量产，消费者可以期待更先进、更强大的智能设备，为科技生活带来全新的可能性。这一合作也将推动半导体行业的发展，为全球科技创新注入新的动力。

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